RD3P08BBDTL
MOSFET N-CH 100V 80A TO252
NOVA-Teilenummer:
312-2288547-RD3P08BBDTL
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RD3P08BBDTL
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 80A (Ta) 119W (Ta) Surface Mount TO-252
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252 | |
| Basisproduktnummer | RD3P08 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1940 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 119W (Ta) | |
| Andere Namen | RD3P08BBDTLTR RD3P08BBDTLDKR RD3P08BBDTLCT |
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