FDD86369

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MOSFET N-CH 80V 90A DPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2282448-FDD86369

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

FDD86369

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

N-Channel 80 V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	onsemi
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	D-PAK (TO-252)
Basisproduktnummer	FDD863
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	90A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	54 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2530 pF @ 40 V
Verlustleistung (max.)	150W (Tj)
Andere Namen	FDD86369OSDKR FDD86369-ND FDD86369OSTR FDD86369OSCT