TK90S06N1L,LQ
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
NOVA-Teilenummer:
312-2292492-TK90S06N1L,LQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK90S06N1L,LQ
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 90A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | DPAK+ | |
| Basisproduktnummer | TK90S06 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 90A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 45A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 5400 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 157W (Tc) | |
| Andere Namen | TK90S06N1LLQTR TK90S06N1L,LQ(O TK90S06N1LLQCT TK90S06N1LLQDKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- SQD50N06-09L_GE3Vishay Siliconix
- IPD034N06N3GATMA1Infineon Technologies
- TK90S06N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- IPD031N06L3GATMA1Infineon Technologies
- SQD97N06-6M3L_GE3Vishay Siliconix
- RD3L08BGNTLRohm Semiconductor
- FDD86567-F085onsemi
- IPD038N06N3GATMA1Infineon Technologies





