STR2N2VH5
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
НОВА часть #:
312-2282602-STR2N2VH5
Производитель:
Номер детали производителя:
STR2N2VH5
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 2.3A (Tj) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | STR2N2 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | STripFET™ V | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.3A (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 367 pF @ 16 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 350mW (Tc) | |
| Другие имена | 497-13883-6 497-13883-2 -497-13883-1 497-13883-1 -497-13883-2 |
In stock Нужно больше?
0,08080 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI2312BDS-T1-E3Vishay Siliconix
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor Inc.
NTHS5404T1Gonsemi
STH310N10F7-6STMicroelectronics
DMN2300U-7Diodes Incorporated- ZXMN2A14FTADiodes Incorporated
W25Q32JVZPIQWinbond Electronics- ZXMN2A01FTADiodes Incorporated
- AO3416Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- DMN2041L-7Diodes Incorporated
- SI2302DDS-T1-GE3Vishay Siliconix
BSH105,215Nexperia USA Inc.
ELUC3535NUB-P7085Q05075020-S21QEverlight Electronics Co Ltd
G6N02LGoford Semiconductor- FDN339ANonsemi
