SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2285034-SI2302DDS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2302DDS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 2.9A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2302 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.9A (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 850mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 710mW (Ta) | |
| Другие имена | SI2302DDS-T1-GE3CT SI2302DDS-T1-GE3DKR SI2302DDS-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI2312BDS-T1-E3Vishay Siliconix
MMBT2222A-GComchip Technology- SQ2310ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- SI2304DDS-T1-GE3Vishay Siliconix
74AHC1G08SE-7Diodes Incorporated- SI2302A-TPMicro Commercial Co
- SI2374DS-T1-GE3Vishay Siliconix
5990210007FDialight- SI2302CDS-T1-E3Vishay Siliconix
LM1117MP-3.3/NOPBTexas Instruments
MGSF2N02ELT1Gonsemi- BSS670S2LH6327XTSA1Infineon Technologies
- SI2309CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
