STH310N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
НОВА часть #:
312-2292194-STH310N10F7-6
Производитель:
Номер детали производителя:
STH310N10F7-6
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | H2PAK-6 | |
| Базовый номер продукта | STH310 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 180A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 12800 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 315W (Tc) | |
| Другие имена | STH310N10F76 497-13586-6 497-13586-1 497-13586-2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
APTM20AM04FGMicrochip Technology
IRFP2907PBFInfineon Technologies
FDB1D7N10CL7onsemi
IRFS3107TRL7PPInfineon Technologies
STH240N10F7-6STMicroelectronics- STH315N10F7-6STMicroelectronics
MMIX1F520N075T2IXYS
STR2N2VH5STMicroelectronics
IXFH400N075T2IXYS