SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3
НОВА часть #:
312-2283537-SPB20N60C3ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
SPB20N60C3ATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3-2 | |
| Базовый номер продукта | SPB20N60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.9V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 114 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 208W (Tc) | |
| Другие имена | SPB20N60C3INTR-ND SPB20N60C3ATMA1DKR SPB20N60C3INCT-ND SPB20N60C3INDKR-ND SPB20N60C3ATMA1CT SPB20N60C3INCT SPB20N60C3XT-ND SP000013520 SPB20N60C3 SPB20N60C3XT SPB20N60C3INTR SPB20N60C3INDKR SPB20N60C3ATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STB11NM80T4STMicroelectronics
IPB180N04S4H0ATMA1Infineon Technologies
IPD90N04S404ATMA1Infineon Technologies
TLE42754DATMA1Infineon Technologies
TLE6250GV33XUMA1Infineon Technologies- SPB17N80C3ATMA1Infineon Technologies
FUO22-12NIXYS
TLE6240GPAUMA1Infineon Technologies
S25FL128SAGNFI003Cypress Semiconductor Corp- AUIRS2181STRInfineon Technologies
FQD17P06TMonsemi
TLE7182EMXUMA1Infineon Technologies
TLE42744DV50ATMA1Infineon Technologies
