IPB180N04S4H0ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

НОВА часть #:

312-2288838-IPB180N04S4H0ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB180N04S4H0ATMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

N-Channel 40 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7-3
Базовый номер продукта	IPB180
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	180A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 180µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	225 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	17940 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	250W (Tc)
Другие имена	IPB180N04S4H0ATMA1TR IPB180N04S4-H0 IPB180N04S4H0ATMA1CT IPB180N04S4H0ATMA1DKR SP000711248 IPB180N04S4-H0-ND