STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
НОВА часть #:
312-2273336-STB11NM80T4
Производитель:
Номер детали производителя:
STB11NM80T4
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | STB11 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 800 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1630 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | 497-4319-1-ND 497-4319-1 497-4319-2 497-4319-1-NDR 497-4319-6 -1138-STB11NM80T4CT -1138-STB11NM80T4DKR 497-STB11NM80T4TR 497-4319-2-NDR 497-STB11NM80T4DKR 497-4319-6-ND 497-STB11NM80T4CT 497-4319-2-ND -1138-STB11NM80T4TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STW11NM80STMicroelectronics
SPB17N80C3ATMA1Infineon Technologies
FUO22-12NIXYS- SPB20N60C3ATMA1Infineon Technologies