LND150N8-G

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

НОВА часть #:

312-2280694-LND150N8-G

Производитель:

Номер детали производителя:

LND150N8-G

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

N-Channel 500 V 30mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Microchip Technology
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-89-3
Базовый номер продукта	LND150
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	30mA (Tj)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (макс.) @ Id	-
Полевой транзистор	Depletion Mode
Пакет/кейс	TO-243AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	500 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	10 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.6W (Ta)
Другие имена	LND150N8-GDKR LND150N8-GTR LND150N8-GCT LND150N8-G-ND