IPD50P04P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
НОВА часть #:
312-2287976-IPD50P04P4L11ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD50P04P4L11ATMA2
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-313 | |
| Базовый номер продукта | IPD50P04 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS®-P2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 85µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | +5V, -16V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3900 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 58W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPD50P04P4L11ATMA2CT 448-IPD50P04P4L11ATMA2TR SP002325766 448-IPD50P04P4L11ATMA2DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQD50P04-09L_GE3Vishay Siliconix
IPD30N06S2L23ATMA3Infineon Technologies
TLE94106ESXUMA1Infineon Technologies
BSP752TXUMA1Infineon Technologies
BTS70041EPPXUMA1Infineon Technologies- BSP772TXUMA1Infineon Technologies
BTS6163DAUMA1Infineon Technologies- BSP752RXUMA2Infineon Technologies
IRS20957STRPBFInfineon Technologies- BTS4175SGAXUMA1Infineon Technologies
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon Technologies
TLE7182EMXUMA1Infineon Technologies
