IAUS260N10S5N019TATMA1
MOSFET_(75V 120V(
НОВА часть #:
312-2289769-IAUS260N10S5N019TATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IAUS260N10S5N019TATMA1
Стандартный пакет:
1,800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 260A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HDSOP-16-2 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 5 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 260A (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 210µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 166 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 16-SOP (0.398", 10.10mm Width) Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 11830 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IAUS260N10S5N019TATMA1DKR SP002952334 448-IAUS260N10S5N019TATMA1TR 448-IAUS260N10S5N019TATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPTC019N10NM5ATMA1Infineon Technologies
SN65HVD96DRTexas Instruments- IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon Technologies
TPS2493PWTexas Instruments
IAUT260N10S5N019ATMA1Infineon Technologies- IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon Technologies
AOTL66518Alpha & Omega Semiconductor Inc.- IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon Technologies
SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix
IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies- IPTC015N10NM5ATMA1Infineon Technologies
1N4148W-7-FDiodes Incorporated
