IPTC015N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HDSOP-16
НОВА часть #:
312-2289806-IPTC015N10NM5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPTC015N10NM5ATMA1
Стандартный пакет:
1,800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 35A (Ta), 354A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HDSOP-16-2 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ 5 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Ta), 354A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 275µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 208 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 16-PowerSOP Module | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 16000 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) | |
| Другие имена | SP005447142 448-IPTC015N10NM5ATMA1CT 448-IPTC015N10NM5ATMA1DKR 448-IPTC015N10NM5ATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPTC019N10NM5ATMA1Infineon Technologies- IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon Technologies
SIJH112E-T1-GE3Vishay Siliconix
IPT026N10N5ATMA1Infineon Technologies
IPT015N10N5ATMA1Infineon Technologies- IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon Technologies
NTMTSC002N10MCTXGonsemi- IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon Technologies
IPTG011N08NM5ATMA1Infineon Technologies- IPTC014N08NM5ATMA1Infineon Technologies
SQJQ112E-T1_GE3Vishay Siliconix- IPTC012N08NM5ATMA1Infineon Technologies
- IPTG014N10NM5ATMA1Infineon Technologies
