SI1442DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
НОВА часть #:
312-2284511-SI1442DH-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI1442DH-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 12 V 4A (Ta) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SI1442 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1010 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) | |
| Другие имена | SI1442DH-T1-GE3CT SI1442DH-T1-GE3DKR SI1442DH-T1-GE3TR SI1442DHT1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI1499DH-T1-E3Vishay Siliconix
SI2342DS-T1-GE3Vishay Siliconix- 2SK209-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
SI4909DY-T1-GE3Vishay Siliconix
SQ3461EV-T1_GE3Vishay Siliconix
XC6120N152NR-GTorex Semiconductor Ltd
XC6215B252MR-GTorex Semiconductor Ltd- SI3473CDV-T1-GE3Vishay Siliconix
DMN1019UVT-7Diodes Incorporated
SI1050X-T1-GE3Vishay Siliconix
G6N02LGoford Semiconductor
DMN1260UFA-7BDiodes Incorporated
CSD13381F4Texas Instruments
CSD13201W10Texas Instruments
IRLR3802PBFInternational Rectifier
