IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO252-3
НОВА часть #:
312-2276164-IPD60R280PFD7SAUMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD60R280PFD7SAUMA1
Стандартный пакет:
2,500
N-Channel 650 V 12A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-344 | |
| Базовый номер продукта | IPD60R280 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™PFD7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 180µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 656 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 51W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPD60R280PFD7SAUMA1TR 448-IPD60R280PFD7SAUMA1DKR SP003493724 448-IPD60R280PFD7SAUMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STD16N60M2STMicroelectronics
IPD50R380CEAUMA1Infineon Technologies- IPD60R280CFD7ATMA1Infineon Technologies
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon Technologies
