STD16N60M2
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
НОВА часть #:
312-2281557-STD16N60M2
Производитель:
Номер детали производителя:
STD16N60M2
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | STD16 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ M2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 700 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 110W (Tc) | |
| Другие имена | -497-15461-2 -497-15461-6 497-15461-6 497-15461-2 497-15461-1 -497-15461-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD65R380E6Infineon Technologies
IPD50R380CEAUMA1Infineon Technologies
FCD260N65S3onsemi
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon Technologies