IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
НОВА часть #:
312-2280895-IPD50R380CEAUMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD50R380CEAUMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 500 V 14.1A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 | |
| Базовый номер продукта | IPD50R380 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 14.1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 13V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 13V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 260µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 24.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | Super Junction | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 584 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 98W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-IPD50R380CEAUMA1 ROCINFIPD50R380CEAUMA1 IPD50R380CEAUMA1CT IPD50R380CEAUMA1DKR SP001396790 IPD50R380CEAUMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STD16N60M2STMicroelectronics
VS-15AWL06FN-M3Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IPD65R400CEAUMA1Infineon Technologies
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon Technologies
