RS1E350GNTB

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-HSOP
Базовый номер продукта	RS1E
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	35A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4060 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3W (Ta)
Другие имена	RS1E350GNTBTR RS1E350GNTBCT RS1E350GNTBDKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!