IRF630

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

НОВА часть #:

312-2263562-IRF630

Производитель:

Номер детали производителя:

IRF630

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 200 V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	STMicroelectronics
RoHS	1
Рабочая Температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220
Базовый номер продукта	IRF6
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	MESH OVERLAY™ II
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	700 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	75W (Tc)
Другие имена	497-2757-5 497-2757-5-NDR