IRF630NPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB

НОВА часть #:

312-2280765-IRF630NPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRF630NPBF

Стандартный пакет:

100

Технический паспорт:

N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Базовый номер продукта	IRF630
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	575 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	82W (Tc)
Другие имена	*IRF630NPBF SP001564792