IRF620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
НОВА часть #:
312-2275513-IRF620PBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF620PBF
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB | |
| Базовый номер продукта | IRF620 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 3.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 260 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 50W (Tc) | |
| Другие имена | *IRF620PBF |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDA59N30onsemi
BC847CT-7-FDiodes Incorporated
BZT52C5V1S-7-FDiodes Incorporated
IRF630STMicroelectronics- BZT52C4V3S-7-FDiodes Incorporated
IRF640PBFVishay Siliconix
IRF5305PBFInfineon Technologies- IRF9620PBFVishay Siliconix
IRF7343TRPBFInfineon Technologies
