IXTT170N10P

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 170A TO268

НОВА часть #:

312-2291204-IXTT170N10P

Производитель:

Номер детали производителя:

IXTT170N10P

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Surface Mount TO-268AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	IXYS
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-268AA
Базовый номер продукта	IXTT170
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Polar
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	170A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	198 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6000 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	715W (Tc)