TSM950N10CW RPG
MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
НОВА часть #:
312-2273012-TSM950N10CW RPG
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM950N10CW RPG
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 6.5A (Tc) 9W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 | |
| Базовый номер продукта | TSM950 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1480 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 9W (Tc) | |
| Другие имена | TSM950N10CWRPGTR TSM950N10CWRPGDKR TSM950N10CWRPGCT TSM950N10CW RPGTR-ND TSM950N10CW RPGDKR TSM950N10CW RPGCT-ND TSM950N10CW RPGTR TSM950N10CW RPGDKR-ND TSM950N10CW RPGCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NX3225GD-8MHZ-STD-CRA-3NDK America, Inc.
BUK98180-100A/CUXNexperia USA Inc.
BTS4140NHUMA1Infineon Technologies- BUK9875-100A/CUXNXP USA Inc.
FDT86102LZonsemi
MMSZ5237B-7-FDiodes Incorporated
DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated- PHT6NQ10T,135Nexperia USA Inc.
ZXMN10A25GTADiodes Incorporated- ZVN4310GTADiodes Incorporated
- ZXMN10A11GTADiodes Incorporated
- BUK98150-55A/CUFNexperia USA Inc.
