FQT7N10LTF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4

НОВА часть #:

312-2273299-FQT7N10LTF

Производитель:

Номер детали производителя:

FQT7N10LTF

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

N-Channel 100 V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223-4
Базовый номер продукта	FQT7N10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	6 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	290 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Tc)
Другие имена	FAIFSCFQT7N10LTF FQT7N10LTFTR FQT7N10LTFDKR 2156-FQT7N10LTF-OS FQT7N10LTFCT