NVTFS5124PLWFTAG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
НОВА часть #:
312-2290344-NVTFS5124PLWFTAG
Производитель:
Номер детали производителя:
NVTFS5124PLWFTAG
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 2.4A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | NVTFS5124 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.4A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 250 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 18W (Tc) | |
| Другие имена | NVTFS5124PLWFTAGOSDKR NVTFS5124PLWFTAG-ND ONSONSNVTFS5124PLWFTAG NVTFS5124PLWFTAGOSTR 2156-NVTFS5124PLWFTAG-OS NVTFS5124PLWFTAGOSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PXP400-100QSJNexperia USA Inc.
NTTFS5116PLTWGonsemi- NVTFS5124PLWFTWGonsemi
- NVTFS5124PLTAGonsemi
TSM085P03CV RGGTaiwan Semiconductor Corporation- NVTFS5116PLTAGonsemi
NVMFS5113PLT1Gonsemi
AONR21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.- NTTFS5116PLTAGonsemi