NTTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
НОВА часть #:
312-2287687-NTTFS5116PLTWG
Производитель:
Номер детали производителя:
NTTFS5116PLTWG
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | NTTFS5116 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1258 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 40W (Tc) | |
| Другие имена | NTTFS5116PLTWGOSCT NTTFS5116PLTWG-ND NTTFS5116PLTWGOSTR NTTFS5116PLTWGOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- FDMC86139Ponsemi
- NVTFS5116PLWFTAGonsemi
- NVTFS5116PLTAGonsemi
- FDMC5614Ponsemi
- DMP6023LFG-7Diodes Incorporated
- NVTFS5124PLTWGonsemi
- NVTFS5116PLWFTWGonsemi
- NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemi
- NVTFS5124PLWFTAGonsemi
- NTTFS5116PLTAGonsemi





