IRFH5025TRPBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2277384-IRFH5025TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFH5025TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | IRFH5025 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 5.7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 150µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2150 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Другие имена | IRFH5025TRPBFCT IRFH5025TRPBFTR INFINFIRFH5025TRPBF IRFH5025TRPBF-ND SP001575486 IRFH5025TRPBFDKR 2156-IRFH5025TRPBF |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
FDS2734onsemi
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies- BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
SISS92DN-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMS2734onsemi
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage- BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon Technologies
SI7190DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon Technologies
