BSZ42DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
НОВА часть #:
312-2281543-BSZ42DN25NS3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSZ42DN25NS3GATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 250 V 5A (Tc) 33.8W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-2
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8-2 | |
| Базовый номер продукта | BSZ42DN25 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 425mOhm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 13µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 430 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 33.8W (Tc) | |
| Другие имена | BSZ42DN25NS3 GCT-ND BSZ42DN25NS3 GDKR-ND BSZ42DN25NS3 GDKR BSZ42DN25NS3 G-ND BSZ42DN25NS3G BSZ42DN25NS3GATMA1CT BSZ42DN25NS3 GTR-ND BSZ42DN25NS3 GCT BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1DKR BSZ42DN25NS3GATMA1TR SP000781796 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STL3NK40STMicroelectronics
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
MMSZ5231BS-7-FDiodes Incorporated
1N4148WSDiotec Semiconductor
FQD12N20LTMonsemi
SM4002PL-TPMicro Commercial Co
DFLU1400-7Diodes Incorporated
LG L29K-G2J1-24-ZOSRAM Opto Semiconductors Inc.
BSH111BKRNexperia USA Inc.
