SISS92DN-T1-GE3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® 1212-8S
Базовый номер продукта	SISS92
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	173mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® 1212-8S
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	250 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	350 pF @ 125 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Другие имена	SISS92DN-T1-GE3TR SISS92DN-T1-GE3DKR SISS92DN-T1-GE3CT