FDD6670A
MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
НОВА часть #:
312-2278017-FDD6670A
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD6670A
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 66A (Tc) 3.2W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD6670 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 15A (Ta), 66A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1755 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 63W (Tc) | |
| Другие имена | FDD6670ATR-NDR FDD6670ACT FDD6670ATR 2156-FDD6670A-OS FDD6670ACT-NDR FDD6670ADKR ONSONSFDD6670A |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD40N03S4L08ATMA1Infineon Technologies- IPD031N03LGATMA1Infineon Technologies
FDD8876onsemi
FDD9410-F085onsemi- NVD5117PLT4G-VF01onsemi
- FDD8647Lonsemi
- RFD16N06LESM9Aonsemi
