SSM6K217FE,LF
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
НОВА часть #:
312-2264807-SSM6K217FE,LF
Производитель:
Номер детали производителя:
SSM6K217FE,LF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | ES6 | |
| Базовый номер продукта | SSM6K217 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 1A, 8V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.1 nC @ 4.2 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-563, SOT-666 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 130 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | SSM6K217FELFCT SSM6K217FE,LF(A SSM6K217FELFTR SSM6K217FELFDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TN2504N8-GMicrochip Technology
SSM3K357R,LFToshiba Semiconductor and Storage
DMN2450UFD-7Diodes Incorporated
EPC2036EPC
BSD214SNH6327XTSA1Infineon Technologies
CSD17484F4Texas Instruments
PMN120ENEAXNexperia USA Inc.
SSM3K127TU,LFToshiba Semiconductor and Storage
BSS816NWH6327XTSA1Infineon Technologies
TC7SZ04FE,LJ(CTToshiba Semiconductor and Storage
RTF016N05TLRohm Semiconductor
SI7454FDP-T1-RE3Vishay Siliconix- BSD316SNH6327XTSA1Infineon Technologies
NTK3134NT5Gonsemi
