BSD214SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
НОВА часть #:
312-2299010-BSD214SNH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSD214SNH6327XTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT363-6 | |
| Базовый номер продукта | BSD214 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 3.7µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.8 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 143 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | INFINFBSD214SNH6327XTSA1 BSD214SN H6327-ND 2156-BSD214SNH6327XTSA1 SP000917656 BSD214SN H6327 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NX3008NBK,215Nexperia USA Inc.
DMN2400UFB-7Diodes Incorporated- NX138AKRNexperia USA Inc.
SSM3K72KFS,LFToshiba Semiconductor and Storage
BSS816NWH6327XTSA1Infineon Technologies- BSH105,215Nexperia USA Inc.
SSM6K217FE,LFToshiba Semiconductor and Storage
DMN65D9L-7Diodes Incorporated
PMZB370UNE315Nexperia USA Inc.
NVS4409NT1Gonsemi
FDG311NFairchild Semiconductor
BSD316SNH6327XTSA1Infineon Technologies
