DMN2450UFD-7
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
НОВА часть #:
312-2264460-DMN2450UFD-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN2450UFD-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | X1-DFN1212-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN2450 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 900mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 3-UDFN | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 52 pF @ 16 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 400mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN2450UFD-7DICT DMN2450UFD-7DIDKR DMN2450UFD-7DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BAT54LP-7Diodes Incorporated
SML-D12U1WT86Rohm Semiconductor
DMC31D5UDJ-7Diodes Incorporated
TL9210AF180QE-Switch
EVQ-P7A01PPanasonic Electronic Components
DMP21D6UFD-7Diodes Incorporated
150060AS75000Würth Elektronik
MSS1P3L-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes Division
BQ25100YFPRTexas Instruments
