IPD068N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
НОВА часть #:
312-2282852-IPD068N10N3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD068N10N3GATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 | |
| Базовый номер продукта | IPD068 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 90µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4910 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | IPD068N10N3GATMA1TR SP001127816 IPD068N10N3GATMA1DKR IPD068N10N3GATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD122N10N3GATMA1Infineon Technologies
BTS70302EPAXUMA1Infineon Technologies- IPD30N06S2L23ATMA3Infineon Technologies
IPD90N10S4L06ATMA1Infineon Technologies- IPD50N04S4L08ATMA1Infineon Technologies
TCJD227M016R0050Kyocera AVX
IPD100N06S403ATMA2Infineon Technologies
BTS6163DAUMA1Infineon Technologies- BTS70802EPAXUMA1Infineon Technologies
- IPD050N10N5ATMA1Infineon Technologies
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon Technologies- IPD110N12N3GATMA1Infineon Technologies
IPD50N06S409ATMA2Infineon Technologies
STD105N10F7AGSTMicroelectronics
BTS3405GXUMA1Infineon Technologies
