IPD100N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
НОВА часть #:
312-2361671-IPD100N06S403ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD100N06S403ATMA2
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Базовый номер продукта | IPD100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 90µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 128 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) | |
| Другие имена | 448-IPD100N06S403ATMA2DKR INFINFIPD100N06S403ATMA2 448-IPD100N06S403ATMA2CT 2156-IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2-ND SP001028766 448-IPD100N06S403ATMA2TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPD034N06N3GATMA1Infineon Technologies- IPD025N06NATMA1Infineon Technologies
SQD50034EL_GE3Vishay Siliconix- IPD031N06L3GATMA1Infineon Technologies
LT8672IMS#PBFAnalog Devices Inc.- SQD97N06-6M3L_GE3Vishay Siliconix
- IPD068N10N3GATMA1Infineon Technologies
FDD86567-F085onsemi- IPD038N06N3GATMA1Infineon Technologies
