DMN10H700S-7
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
НОВА часть #:
312-2284339-DMN10H700S-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN10H700S-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 700mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 700mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 235 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 400mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN10H700S-7DICT DMN10H700S-7DIDKR DMN10H700S-7DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS84PH6433XTMA1Infineon Technologies
L78M05ABDT-TRSTMicroelectronics
AD8039ARZAnalog Devices Inc.
PV36W104C01B00Bourns Inc.
SS2150-LTPMicro Commercial Co
DMN10H700S-13Diodes Incorporated- ZXMN10A07FTADiodes Incorporated
BZX84-C5V1,215Nexperia USA Inc.
CMD17-21SRC/TR8Visual Communications Company - VCC- SQ2398ES-T1_GE3Vishay Siliconix
