DMN10H700S-13

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3
Базовый номер продукта	DMN10
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	700mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	4.6 nC @ 10 V
Полевой транзистор	Стандартный
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	235 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	400mW (Ta)