IRFR15N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
НОВА часть #:
312-2281366-IRFR15N20DTRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFR15N20DTRPBF
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 17A (Tc) 3W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D-PAK (TO-252AA) | |
| Базовый номер продукта | IRFR15 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 17A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 910 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 140W (Tc) | |
| Другие имена | IRFR15N20DTRPBFDKR IRFR15N20DTRPBF-ND IRFR15N20DTRPBFTR SP001555046 IRFR15N20DTRPBFCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQD19P06-60L_GE3Vishay Siliconix
RD3T100CNTL1Rohm Semiconductor
STD20NF20STMicroelectronics
IRFR4615TRLPBFInfineon Technologies- IRFR4620TRLPBFInfineon Technologies
- STD25NF20STMicroelectronics
LD1117S12CTRSTMicroelectronics
ES3DB-13-FDiodes Incorporated- FQD18N20V2TMonsemi
- IRFR3410TRPBFInfineon Technologies
LM317SX/NOPBTexas Instruments
