SQD19P06-60L_GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
НОВА часть #:
312-2287816-SQD19P06-60L_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQD19P06-60L_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SQD19 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 19A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1490 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 46W (Tc) | |
| Другие имена | SQD19P06-60L_GE3-ND SQD19P06-60L-GE3-ND SQD19P06-60L-GE3 SQD19P06-60L_GE3TR SQD19P06-60L_GE3DKR SQD19P06-60L_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MMBT2907A-7-FDiodes Incorporated
TS3021HIYLTSTMicroelectronics
SQJ469EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SVD2955T4Gonsemi
1N5615US/TRMicrochip Technology
BZT52-B6V8JNexperia USA Inc.
NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQD19P06-60L_T4GE3Vishay Siliconix
SPD18P06PGBTMA1Infineon Technologies- IRFR3410TRPBFInfineon Technologies
STD12N60DM6STMicroelectronics
LM317SX/NOPBTexas Instruments
