RD3H160SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 16A TO252
НОВА часть #:
312-2287835-RD3H160SPFRATL
Производитель:
Номер детали производителя:
RD3H160SPFRATL
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 45 V 16A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
| Базовый номер продукта | RD3H160 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 16A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 45 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2000 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 20W (Tc) | |
| Другие имена | RD3H160SPFRATLDKR RD3H160SPFRATLTR RD3H160SPFRATLCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RD3H080SPFRATLRohm Semiconductor
RD3L03BATTL1Rohm Semiconductor
SQ3481EV-T1_GE3Vishay Siliconix
NP15P04SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
RSJ250P10FRATLRohm Semiconductor- NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQSA12CENW-T1_GE3Vishay Siliconix