RD3L03BATTL1
PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
НОВА часть #:
312-2263369-RD3L03BATTL1
Производитель:
Номер детали производителя:
RD3L03BATTL1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 35A (Ta) 56W (Ta) Surface Mount TO-252
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1930 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 56W (Ta) | |
| Другие имена | 846-RD3L03BATTL1CT 846-RD3L03BATTL1DKR 846-RD3L03BATTL1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
CDZVT2R18BRohm Semiconductor
RD3L140SPTL1Rohm Semiconductor
SUD50P10-43L-E3Vishay Siliconix
DMPH6050SK3-13Diodes Incorporated
AOD413AAlpha & Omega Semiconductor Inc.
STD35P6LLF6STMicroelectronics
RD3L07BATTL1Rohm Semiconductor
TJ15S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage- NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- AOD417Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- RD3H160SPFRATLRohm Semiconductor
IPD380P06NMATMA1Infineon Technologies
