RD3H080SPFRATL
MOSFET P-CH 45V 8A TO252
НОВА часть #:
312-2278077-RD3H080SPFRATL
Производитель:
Номер детали производителя:
RD3H080SPFRATL
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 45 V 8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount TO-252
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
| Базовый номер продукта | RD3H080 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 45 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 15W (Tc) | |
| Другие имена | RD3H080SPFRATLCT RD3H080SPFRATLDKR RD3H080SPFRATLTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- RD3L140SPTL1Rohm Semiconductor
- NP15P04SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- RD3L050SNFRATLRohm Semiconductor
- 2SA2029FHAT2LRRohm Semiconductor
- RD3H160SPFRATLRohm Semiconductor




