BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
НОВА часть #:
312-2281177-BSZ097N10NS5ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSZ097N10NS5ATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8-FL | |
| Базовый номер продукта | BSZ097 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Ta), 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.8V @ 36µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2080 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | |
| Другие имена | BSZ097N10NS5ATMA1TR BSZ097N10NS5ATMA1CT BSZ097N10NS5ATMA1DKR SP001132550 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVTFS010N10MCLTAGonsemi
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
BSZ150N10LS3GATMA1Infineon Technologies
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies- BSZ068N06NSATMA1Infineon Technologies
ISZ080N10NM6ATMA1Infineon Technologies- BSZ110N08NS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC039N06NSATMA1Infineon Technologies
