NVTFS010N10MCLTAG
MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
НОВА часть #:
312-2288090-NVTFS010N10MCLTAG
Производитель:
Номер детали производителя:
NVTFS010N10MCLTAG
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 11.7A (Ta), 57.8 (Tc) 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | NVTFS010 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11.7A (Ta), 57.8 (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 85µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2150 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) | |
| Другие имена | NVTFS010N10MCLTAGOSCT NVTFS010N10MCLTAGOS-ND NVTFS010N10MCLTAGOS NVTFS010N10MCLTAGOSDKR NVTFS010N10MCLTAGOSTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon Technologies
FDMC8622onsemi
BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies
NTTFS010N10MCLTAGonsemi
BZT52C24-7-FDiodes Incorporated- BSZ110N08NS5ATMA1Infineon Technologies
BSS123W-7-FDiodes Incorporated
TCR3DF33,LM(CTToshiba Semiconductor and Storage
ZXTP19100CFFTADiodes Incorporated
