BSZ150N10LS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
НОВА часть #:
312-2281341-BSZ150N10LS3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSZ150N10LS3GATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8 | |
| Базовый номер продукта | BSZ150 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 40A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.1V @ 33µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2500 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) | |
| Другие имена | BSZ150N10LS3GATMA1TR BSZ150N10LS3GATMA1DKR BSZ150N10LS3GATMA1CT BSZ150N10LS3GATMA1-ND SP001002916 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LTC4357HDCB#TRMPBFAnalog Devices Inc.
DMNH10H028SPSQ-13Diodes Incorporated
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon Technologies
BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies- BSZ160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSC096N10LS5ATMA1Infineon Technologies
ABM8-25.000MHZ-B2-TAbracon LLC
AD8418ABRMZ-RLAnalog Devices Inc.
MX25L2006EZUI-12GMacronix
BSC109N10NS3GATMA1Infineon Technologies
ADR130AUJZ-REEL7Analog Devices Inc.
