SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
НОВА часть #:
312-2285550-SIS176LDN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIS176LDN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 3.3V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 70 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1660 pF @ 35 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIS176LDN-T1-GE3TR 742-SIS176LDN-T1-GE3DKR 742-SIS176LDN-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon Technologies
TSPB5H100STaiwan Semiconductor Corporation
DMT6009LFG-7Diodes Incorporated
SISS76LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
PMEG6030EVPXNexperia USA Inc.
RTR020N05HZGTLRohm Semiconductor
PDS5100-13Diodes Incorporated
13324-T086Sumida America Components Inc.
SIS178LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
SM91502ALEBourns Inc.
