FDD86367-F085

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

НОВА часть #:

312-2282857-FDD86367-F085

Производитель:

Номер детали производителя:

FDD86367-F085

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	FDD86367
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4840 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	227W (Tj)
Другие имена	FDD86367F085 FDD86367_F085 FDD86367_F085CT FDD86367_F085DKR-ND FDD86367_F085TR FDD86367_F085DKR FDD86367-F085CT FDD86367_F085TR-ND FDD86367-F085TR FDD86367_F085CT-ND FDD86367-F085DKR