G3R20MT17N
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
НОВА часть #:
312-2279155-G3R20MT17N
Производитель:
Номер детали производителя:
G3R20MT17N
Стандартный пакет:
10
Технический паспорт:
N-Channel 1700 V 100A (Tc) 523W (Tc) Chassis Mount SOT-227
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Chassis Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227 | |
| Базовый номер продукта | G3R20 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | G3R™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 75A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.7V @ 15mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 400 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-227-4, miniBLOC | |
| VGS (макс.) | ±15V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1700 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10187 pF @ 1000 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 523W (Tc) | |
| Другие имена | 1242-G3R20MT17N |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
G3R20MT12NGeneSiC Semiconductor
G3R160MT17DGeneSiC Semiconductor
MSC130SM120JCU2Microchip Technology- G3R45MT17DGeneSiC Semiconductor
G3R20MT17KGeneSiC Semiconductor- G3R20MT12KGeneSiC Semiconductor
- G3R45MT17KGeneSiC Semiconductor
G2R50MT33KGeneSiC Semiconductor