G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
НОВА часть #:
312-2289892-G3R160MT17D
Производитель:
Номер детали производителя:
G3R160MT17D
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 1700 V 21A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | G3R160 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | G3R™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 21A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 12A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.7V @ 5mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 51 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±15V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1700 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1272 pF @ 1000 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 175W (Tc) | |
| Другие имена | 1242-G3R160MT17D |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
UF3C170400K3SUnitedSiC
G3R45MT17DGeneSiC Semiconductor- G3R450MT17DGeneSiC Semiconductor
- G3R40MT12DGeneSiC Semiconductor
FCHD040N65S3-F155onsemi
MSC750SMA170BMicrochip Technology
C2M1000170DWolfspeed, Inc.
G3R160MT17JGeneSiC Semiconductor- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.
G3R45MT17KGeneSiC Semiconductor
BUK7M9R5-40HXNexperia USA Inc.
G2R50MT33KGeneSiC Semiconductor