G3R20MT12N

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SIC MOSFET N-CH 105A SOT227

НОВА часть #:

312-2289975-G3R20MT12N

Производитель:

Номер детали производителя:

G3R20MT12N

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 1200 V 105A (Tc) 365W (Tc) Chassis Mount SOT-227

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Chassis Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-227
Базовый номер продукта	G3R20
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	G3R™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	105A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 60A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.69V @ 15mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	219 nC @ 15 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-227-4, miniBLOC
VGS (макс.)	+20V, -10V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5873 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	365W (Tc)
Другие имена	1242-G3R20MT12N